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高頻100ns高壓硅堆HVDIODE廠家生產正品好貨2CLG2-100KV/50A

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產品描述
產品特點:
1、低反向漏電流,瞬態10ms正向浪涌電流?;?;
2、耐沖擊電壓,具有雪崩電壓擊穿?;ぬ匭?;
3、高耐熱性能,PN結點溫度范圍高達125℃—+175℃;
4、可選先進的高溫鈍化芯片封裝技術;
5、優良的持續放電性;
6、工藝環保,符合國際標準;
7、嚴格執行ISO9001國際質量管理體系把控產品品質;
8、新型模塑封裝技術,確保產品的耐潮濕性能,可承受嚴酷惡劣的使用環境;
9、高頻快速響應特性;
10、亦可根據需要設計定制客戶的專屬產品;
 

北京单场sp植即时指数 www.tyilw.com.cn 極 限 值

Absolute

Maximum

Ratings

  參數名稱
Item
符號
Symbol
單位
Unit
測試條件
Conditions
數值
Voltage
反向重復峰值電壓
Repetitive Peak Backward Voltage
Vrrm KV Ta=25℃  Ir=0.1μA 2-100
反向工作峰值電壓
Peak Working Backward Voltage
Vrwm KV Ta=25℃  Ir=0.1μA 2-100
正向平均電流
Average Forward Current
If(AV) A 正弦半波50Hz,電阻負載,Tbreak=50℃
(50Hz Half-sine Wave , Resistance load @Tbreak=50℃)
50
反向恢復時間
Backward Recovery Time
Trr nS   100
正向(不重復)浪涌電流
Surge Forward Current
Ifsm A 正弦半波持續時間0.01S  50Hz
0.01S @ Half-Sine wave  50Hz
900
工作環境溫度
Operating Ambient Temperature
Ta   -40~+150
存貯溫度
Storage Temperature
Tstg   -40~+120

電 特 性

Electrical

Characteristics

正向峰值電壓
Forward Peak Voltage
Vfm V   ≥2.4-120
反向峰值電流
Backward Peak  Current
Irrm1 μA @ Ta=25℃ VRM=VRRM 10.0
Irrm2 μA @ Ta=100℃ VRM=VRRM 100.0
   

 

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